기술도입ㆍ이전ㆍ제휴 계약체결(자율공시)
| 1. 구분 | 기술제휴 | ||
| 2. 계약상대 | 미래창조과학부,한국전자통신연구원 | ||
| - 회사와의 관계 | - | ||
| 3. 기술의 주요내용 | 6inch FAB을 기반으로 한 에지종단 향상기술을 적용한 650V/20A급 SiC 다이오드 개발 | ||
| 4. 계약의 주요내용 | 1.시행처 : 미래창조과학부 2.개발기간 : 2016.06.01 ~ 2017.05.31 (12개월) 3.과제명 : 에지종단 향상기술을 적용한 650V/20A급 SiC 다이오드 개발 4.예상투자금액 : 정부출연금 2.8억원 민간부담금 1.87억원 5.기술 개발 내용 SiC 다이오드 핵심공정 개발,소자 설계 및 제작 - PN 접합 형성 공정기술 개발 - Ohmic/Schottky 접촉 형성기술 개발 - 650V SiC 다이오드 구조 시뮬레이션 및 설계 - 650V SiC 다이오드 에지종단 향상기술 개발 - SiC 다이오드 제작 (항복전압 ≥650V, 순방향전류 ≥20A) 및 특성 평가 6.기대효과 1)650V/20A급 다이오드를 기반으로 광전자 팹에 기술이식 및 양산 추진 2)650V/20A급 SiC 다이오드의 핵심 단위공정 및 소 자기술 확보로 650V 내압을 가지는 10A,30A,50A 등 다양한 SiC 다이오드개발 확대 3)SiC 전력소자 개발기간을 단축하여 신제품 개발을 통해 미래신시장 확보 4)SiC 전력소자의 650V 내압특성을 확보함으로써 1, 000V급 이상의 SiC 전력소자 기반 기술확보 용이 5)SiC MOSFET 전력소자 외에 센서 등 SiC를 이용한 반도체 소자 개발 활용 가능 |
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| 5. 계약체결일자 | 2016-06-28 | ||
| 6. 이사회결의일(결정일) | - | ||
| - 사외이사 참석여부 | 참석(명) | - | |
| 불참(명) | - | ||
| - 감사(사외이사가 아닌 감사위원) 참석여부 | - | ||
| 7. 기타 투자판단과 관련한 중요사항 | 1.상기 공시 내용은 향후 국책과제 협약 및 정책에 따라 변경 될 수 있음. 2.상기 개발기간은 협약체결일에 따라 변경 될 수 있음. |
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| ※ 관련공시 | - | ||