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광전자(주) 투자판단 관련 주요경영사항

광전자 · 2017-10-31 06:52 · KOSCOM

투자판단 관련 주요경영사항
1. 제목 전기자동차 및 신재생에너지용 1200V급 Trench형 SiC MOSFET 소자 개발
2. 주요내용 1.시행처 : 산업통상자원부

2.개발기간 : 2017.07.01 ~ 2018.12.31 (18개월)

3.과제명 : 전기자동차 및 신재생에너지용 1200V급
            Trench형 SiC MOSFET 소자 개발

4.예상투자금액 : 정부출연금 19.5억원
                  민간부담금  8.9억원

5.기술 개발 내용
  1200V/100A급 SiC MOSFET 및 게이트 구동 IC 개발
   - 미세구조 cell 구조 및 온-특성 개선 구조 설계
   - Trench 구조 SiC MOSFET 소자 설계 및 최적화
   - 소자 제작을 위한 핵심 단위공정 개발
   - 6인치 일괄 공정 안정화 기술 개발 및 공정 파라미터
     구축
   - 1200V/100A급 소자 제작 및 평가
   - 제작소자 정밀 분석을 통한 Fail 분석/설계/공정
     피드백
   - 제작소자에 최적화된 게이트 구동 IC 개발
   - 1200V/100A급 SiC MOSFET 및 게이트 구동 IC 제작

6.기대효과
   - SiC MOSFET 소자 및 기술 개발을 통해 신규 파워반도
     체 시장으로 확대 가능
   - 전기자동차와 신재생에너지 분야의 강력한 파워반도
     체소자 공급기업으로 성장
3. 이사회결의일(결정일) 또는 사실확인일 2017-10-31
- 사외이사 참석여부 참석(명) -
불참(명) -
- 감사(사외이사가 아닌 감사위원) 참석여부 -
4. 기타 투자판단과 관련한 중요사항
1.상기 공시 내용은 향후 국책과제 협약 및 정책에 따라 변경 될 수 있음.
2.상기 개발기간은 협약체결일에 따라 변경 될 수 있음.
※ 관련공시 -

거래소·금융감독원 공시를 네이버 증권을 통해 가져온 내용입니다. 표시가 원문과 다를 수 있으니 중요한 판단 전에는 원문 공시를 확인하세요.

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