기술도입ㆍ이전ㆍ제휴 계약체결(자율공시)
| 1. 구분 | 기술도입 | ||
| 2. 계약상대 | 한국전자통신연구원 | ||
| - 회사와의 관계 | 해당없음 | ||
| 3. 기술의 주요내용 | - 실리콘웨이퍼(silicon wafer)위에 100% Germanium (Ge)을 고품위로 에피(epi) 성장하는 기술과, 이를 기반으로 실리콘 CMOS-compatible 공정으로 빛 신호 검출용 포토다이오드를 설계 제작하는 기술로 이루어져 있음. 실리콘(silicon)기반의 장점, 즉, 초저가, 고신뢰성, Silicon COMS IC와의 compatibility과 더불어, 초고속 특성, 고응답도(responsiivity) 특성 등의 고성능 장점을 겸비하는 신소자 기술 - RPCVD 기반 고품위 100% Ge on Silicon 에피 성장기술 및 Vertical illlumination (Normal Incidence), 수직입사형 PIN type의 포토다이오드 설계, 제작기술 |
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| 4. 계약의 주요내용 | 1) 기술계약명 - 수직입사형 100% 게르마늄-온-실리콘 포토다이오드 버전 2 2) 계약기간 : 2010. 6. 25 ~ 2015. 12. 31 3) 기술료 - 기본착수료: 10억 - 매출정률 사용료 : 제품(소자 등)매출액의 3% |
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| 5. 계약체결일자 | 2010-06-25 | ||
| 6. 이사회 결의일(결정일) | 2010-06-25 | ||
| - 사외이사 참석여부 | 참석(명) | 1 | |
| 불참(명) | - | ||
| - 감사(감사위원) 참석여부 | 참석 | ||
| 7. 기타 투자판단에 참고할 사항 | 1) 기술도입 투자의 목적 - 한국전자통신연구원에서 세계최초 상용화한 Ge-on-Silicon PD(신소자 제조기술)을 이전받아, - 당사 사업구조의 다각화를 통해 신규 수종사업을 구상하여 미래 안정적인 성장엔진의 신동력을 확보하는데 의의가 있음. 2) 기술의 특성 - 세계 최초/최고 기술, 고성능/초저가 실현 - Ge-On-Si PD 세계최초 상용화로 미래 초고속 광통신, 데이터 융합, 미래컴퓨터 등에 선대응 3) 시장 - 광통신용의 광검출소자로, Photo detector, Optical Interconnection 등에 사용되며, 미래 컴퓨터 신호처리용으로의 통신, 데이타콤, AOC, 자동차용MOST 통신용등으로 대규모 시장이 기대됨 4) 사업 -고성능/초저가를 무기로 하고, 기존 GaAs화합물 반도체 포토다이오드 시장을 대체할 것임 5) 착수기술료 납부 일정 - 1차분 : 4억원 ( 2010년 6월 24일 ) - 2차분 : 3억원 ( 2011년 1월 24일 ) - 3차분 : 3억원 ( 2011년 6월 24일 ) |
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| ※ 관련공시 | - | ||