특허권 취득(자율공시)
| 1. 특허명칭 | 두께 방향으로 우수한 열전도 특성을 갖는 기판을 구비한 발광소자의 제조방법 |
| 2. 특허 주요내용 | 고출력 GaN형 화합물 반도체의 경우 Si, SiC 등이 사용되고 있는데, 이 기판의 경우 열팽창은 낮으나 열전도도가 떨어지는 단점을 가지고 있어 열전도도가 높고 열팽창은 낮은 소재의 필요성이 대두됨. 본 특허의 경우 Cu-흑연 복합재료로 열전도도는 기존 소재의 2배 이상으로 높고, 열팽창은 6~7ppm으로 대단히 낮아 향후 GaN형 화합물 반도체인 LED, UV LED와 고출력 무선통신용 GaN 송수신기의 방열부품으로 사용할 수 있다. |
| 3. 특허권자 | 엠케이전자 주식회사 |
| 4. 특허취득일자 | 2015-02-25 |
| 5. 특허 활용계획 | 본 특허는 고출력 LED 칩(수직형 LED)이나 UV LED칩 및 고출력 무선통신용 GaN형 송수신기의 기판 소재로서 뛰어난 특성을 나타내는 소재에 관한것으로 GaN형 화합물 반도체의 방열부품에 적용할 예정임. |
| 6. 확인일자 | 2015-02-25 |
| 7. 기타 투자판단에 참고할 사항 | 특허취득일자 및 확인일자는 특허등록(특허등록료 납부)일자 기준임 |