특허권 취득(자율공시)
| 1. 특허명칭 | 애벌란치 포토다이오드(Avalanche Photodiode) |
| 2. 특허 주요내용 | 본 발명은 초고속 광통신에 이용되는 애벌란치 포토다이오드(이하 APD)에 관한 것임. APD란 높은 전기장이 가해진 영역에 캐리어가 주입되어 높은 전기장에 의해 전류증폭을 얻는 소자를 말함. APD의 대표적인 종류로 평면형과 메사(Mesa)형이 있는데 평면형은 신뢰성이 매우 좋고 특성도 우수하나 구조적으로 메사형에 비해 정전용량을 줄이기가 어려운 단점이 있음. 또한 기생정전용량을 줄이기 위한 제작과정의 복잡성으로 인해 가격상승요인이 됨. 한편, 메사구조의 경우 정전용량이 평면형보다 적어지지만 전기장의 세기가 광신호가 입력되는 중앙보다 가장자리 부분이 높아 신호의 증폭효율이 떨어지는 문제가 있음. 이러한 문제점을 개선하기 위해 이온 주입방식으로 가드링을 제작하는 경우 해당 층의 결정성이 파괴될 수 있는 문제점이 있음. 본 발명은 상기와 같은 문제점을 개선하기 위하여 메사구조를 가지면서 광신호가 입력되는 영역이 주변영역보다 높은 전기장이 형성될 수 있도록 고안한 것임. 본 발명에 따른 APD는 메사구조를 갖기 때문에 기생정전용량을 줄일 수 있어 초고속 광통신에 적용이 가능하면서 증폭효율도 향상시키는 장점이 있음. 또한 도면의 결정성 파괴를 방지할 수 있고, 제작성이 좋은 APD를 제공할 수 있음. |
| 3. 특허권자 | 주식회사 우리로 |
| 4. 특허취득일자 | 2015-09-11 |
| 5. 특허 활용계획 | 당사 제품에 활용 예정 |
| 6. 확인일자 | 2015-09-11 |
| 7. 기타 투자판단에 참고할 사항 | - 특허출원번호 제10-2014-0117979호 - 상기 특허취득일자 및 확인일자는 특허등록료 납부일입니다. |