기타 경영사항(특허권 취득)(자율공시)
| 1. 특허명칭 | 단일광자 애벌란치 다이오드와 그 제조 방법(single photon avalanche diode and method of manufacturing the same) |
| 2. 특허 주요내용 | 본 발명은 단일광자 애벌란치 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것으로서, '단일광자 애벌란치 다이오드'란 양자 암호통신을 위한 양자 키 분배, LADAR(Laser Radar) 등과 같이 다양한 분야에서 단일광자 검출기로 사용되는 소자를 말한다. 본 발명은 높은 반사도를 갖는 금속을 반사층으로 사용하여 높은 광자 검출 효율과 낮은 옴접촉저항 을 갖는 단일광자 애벌란치 포토다이오드 및 그 제조방법을 제공 하는 데 있다. 이러한 단일광자 애벌란치 다이오드 및 그 제조방법에 의하면, 광 응답도를 향상시킬 수 있어 높은 광자 검출 효율을 얻을 수 있으며, 작은 옴 접촉 저항을 갖게 하여 고속동작을 가능하게 한다. *광 응답도: 광자 흡수 확률로, 높은 응답도를 가질수록 낮은 전력을 소모하고 효율적임 *옴 접촉 저항: 반도체 소자에서 전극금속과 반도체 사이에 발생되는 저항 |
| 3. 특허권자 | 주식회사 우리로 |
| 4. 특허취득일자 | 2017-11-30 |
| 5. 특허 활용계획 | 당사 신제품에 활용할 예정 |
| 6. 확인일자 | 2017-11-30 |
| 7. 기타 투자판단에 참고할 사항 | - 특허출원번호:10-2016-0063342 - 상기 특허취득일자 및 확인일자는 특허등록료 납부일 입니다. |