특허권 취득(자율공시)
| 1. 특허명칭 | 반도체 레이저 소자 및 그 제조방법 (출원번호 10-2008-0038316) |
| 2. 특허 주요내용 | ㅁ전류 제한층이 한층일때 발생하는 누설전류에 의한 소자 광효율 저하 문제를 해결함. ㅁ서로다른 굴절율을 가지는 두개의 전류 제한층 조합을 구성하여 전류 제한층의 반사율이 증가하며, 누설전류 감소 및 동작전류 감소효과가 있어 레이저다이오드 소자의 광효율을 향상시키는 기술임. |
| 3. 특허권자 | 주식회사 큐에스아이 |
| 4. 특허취득일자 | 2010-10-05 |
| 5. 특허 활용계획 | ㅁ적색파장(635nm~680nm)의 저동작전류 제품생산이 가능함에 따라 적생파장을 사용하는 Bar Code Scanner, Power Tool, Laser Scanning Unit등의 응용제품에 경제성이 높은 저소비전류 제품적용 및 수요증가 예상됨 ㅁ800nm대 High Power(100mW~1W) 제품의 동작전류 감소를 통한 광효율 향상으로 Power Tool, Pointer, 무대조명용 광원 및 군사용등 제품에 적용 및 수요증가 예상됨. |
| 6. 확인일자 | 2010-10-05 |
| 7. 기타 투자판단에 참고할 사항 | ※ 특허취득일자 및 확인일자는 특허등록료를 납부한 날임. |