특허권 취득(자율공시)
| 1. 특허명칭 | 양방향 브레이크다운 보호기능을 갖는 저전압과 과도전압 억압디바이스 및 그 제조방법 |
| 2. 특허 주요내용 | 저전압 과도전압 억압디바이스 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 구체적으로 양방향 모두 저전압에서도 낮은 누설전류를 가지고 양방향 모두 유사한 전압에서 브레이크다운 전압을 형성하는 양방향 브레이크다운 보호기능을 갖는 저전압 과도전압 억압디바이스 및 그 제조방법. |
| 3. 특허권자 | (주)오디텍 |
| 4. 특허취득일자 | 2010-07-14 |
| 5. 특허 활용계획 | 양방향 브레이크다운 보호기능을 갖는 저전압 과도전압 억압디바이스 및 그제조방법은 양방향 모두 저전압에서도 낮은 누설전류를 가지고 양방향 모두 유사한 전압에서 브레이크다운 전압을 형성하는 효과가 있다. 또한 종래와 달리 상부반도체층, 중간반도체층 및 하부반도체층을 모두 에피텍시얼 성장방법을 사용하지 않고 하나 이상의 전도도층을 확산공정을 통해 제조함에 따라 디바이스간에 절연을 위해 메사 트렌치 구조를 사용하지 않고, 디바이간의 절연을 실현할 수 있어 대량생산이 가능하며 이에 대한 기대 효과가 클 것으로 예상된다 |
| 6. 확인일자 | 2010-07-14 |
| 7. 기타 투자판단에 참고할 사항 | - 특허취득일자는 특허등록비용 납부일자임 |