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(주)디엔에프 특허취득
디엔에프 · 2008-02-12 13:30 · KOSCOM
증권거래법 제186조의 규정에 의하여 당사의 주요경영사항에 대해 다음과 같이 신고ㆍ공시
합니다.
2008 년 2 월 12 일
금융감독위원회(금융감독원) 귀중
회 사 명 : (주)디엔에프
(영문명) DNF Co., Ltd.
(홈페이지) http://www.dnfsolution.com
본 점 소 재 지 : 대전광역시 대덕구 문평동 49-9
(전 화) (042)932-7939
대 표 이 사 : 김 명 운
담 당 임 원 : (직 책) 상무이사
(성 명) 이 광 재 (전 화) 042)932-7939
작 성 자 : (직 책) 총무팀장
(성 명) 김 용 춘 (전 화) 042)932-7939
제 출 이 유 : 유가증권의발행및공시등에관한규정 제69조제1항
제5호마목에 의한
특허취득
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| ※ 본 건 금융감독위원회(금융감독원)에 제출하는 주요경영사항 신고는 증권거래법 제186조, |
| 동법 시행령 제83조 및 유가증권의발행및공시등에관한규정 제69조에 의한 『법정공시사항』 |
| 으로 그 내용에 허위, 중요사실의 누락이 있을 경우 증권거래법 제206조의11, 제207조의3에 |
| 의거 과징금 부과, 형사처벌 등 제재를 받을 수 있습니다. |
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| 1. 특허명칭 | 지르코늄 산화물 박막 증착용 유기금속 선구물 |
| | 질 및 이의 제조 방법 |
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| 2. 특허 주요내용 | 반도체의 집적도 향상, 공정 기술 미세화에 따 |
| | 라 기존의게이트 산화막인 Si02는 80nm 이하에 |
| | 서는 누설전류가 커지는 문제점이 있어 이를 극 |
| | 복하기 위해 절연성이 뛰어나고 유전율이 높으 |
| | 며 유전 손실이 적은 고유전체 박막을 게이트 |
| | 절연막으로 사용하는 공정이 필수가 되었으며, |
| | 특히 Zr02는 유전상수 값이 크고 전기적 특성이 |
| | 우수하기 때문에 지르코늄 산화물 박막을 증착 |
| | 시키기 위한 유기금속 선구물질이 필요하게 되 |
| | 었다. |
| | |
| | 당사가 개발한 지르코늄 산화물 박막 증착용 지 |
| | 르코늄 산화물 선구물질은 열적 안정성 및 휘발 |
| | 성이 우수하여 유기금속 화학기상 증착법(MOCVD |
| | )또는 원자층 증착법(ALD)공정을 통하여 고집적 |
| | 반도체 소자 제조를 위한 고유전 물질의 지르 |
| | 코늄 산화물 박막을 제조할 수 있게 되었다. |
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| 3. 특허권자 | (주)디엔에프 |
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| 4. 특허취득일자 | 2008년 02월 12일 |
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| 5. 특허 활용계획 | 메모리 반도체 DRAM의 케패시터 및 게이트 절연 |
| | 막의 고유전 물질로 적용 가능하며, 고유전율 |
| | 케패시터 절연막용 재료시장은 해마다 약 20∼3 |
| | 0% 이상 성장하고 있다. |
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| 6. 확인일자 | 2008년 02월 12일 |
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7. 기타 투자판단에 참고할 사항
-상기 특허취득일자 및 확인일자는 관납료 납부일임.