기타 경영사항(특허권 취득)(자율공시)
| 1. 특허명칭 | 실리콘나이트라이드막의 건식식각방법 |
| 2. 특허 주요내용 | 상기 특허는 반도체 장비에 적용되는 기술임. 본 특허에 의하면, 식각시간이 증가하더라도 실리콘나이트라이드막과 실리콘옥사이드(SiN/oxide) 및 실리콘(Si)의 선택비가 악화되는 것을 방지하고, 양호한 실리콘옥사이드막의 형태를 얻을 수 있음. 또한, 식각공정 사이에 열처리공정을 실행함으로써 수율 향상에 기여할 수 있음. |
| 3. 특허권자 | 주식회사 테스 |
| 4. 특허취득일자 | 2017-04-25 |
| 5. 특허 활용계획 | 상기 특허와 관련된 기술을 반도체 장비에 적용하고 R&D활동에도 응용하여 제품경쟁력 강화에 활용할 계획임. |
| 6. 확인일자 | 2017-04-25 |
| 7. 기타 투자판단에 참고할 사항 | - 상기 특허취득일자 및 확인일자는 특허 수수료 납부일자 기준임. |