기타 경영사항(특허권 취득)(자율공시)
| 1. 특허명칭 | 실리콘산화막의 선택적 식각 방법 |
| 2. 특허 주요내용 | 상기 특허는 반도체 장비에 적용되는 기술임. 본 특허에 따르면, 실리콘산화막의 식각량은 더욱 증가시키고 실리콘질화막의 식각량은 감소시켜 식각 선택비 및 식각량을 현저히 증가시키고, 공정의 단순화 및 공정 재현성에 우수한 장점이 있음. |
| 3. 특허권자 | 주식회사 테스 |
| 4. 특허취득일자 | 2018-08-31 |
| 5. 특허 활용계획 | 장비 제조시 특허기술 적용을 통한 제품경쟁력 강화 |
| 6. 확인일자 | 2018-08-31 |
| 7. 기타 투자판단에 참고할 사항 | 1. 출원번호(국내) : 제10-2016-0041528 2. 상기 특허취득일자 및 확인일자는 특허 수수료 납부일자 기준임. |