특허권 취득(자율공시)
| 1. 특허명칭 | 하프톤형 위상반전 블랭크 마스크, 하프톤형 위상반전 포토 마스크 및 그의 제조 방법 |
| 2. 특허 주요내용 | 본 발명은 투명 기판, 위상반전막, 금속막 및 레지스트막을 순차적으로 적층되어 블랭크 마스크를 형성 -> 위상반전막의 접착력, 파티클, 핀홀, 내화학성, 내노광성, 잔류응력, 면저항 특성이 우수한 하프톤형 블랭크 마스크의 제조 가능 |
| 3. 특허권자 | 주식회사 에스앤에스텍 |
| 4. 특허취득일자 | 2012-05-30 |
| 5. 특허 활용계획 | 본 특허기술을 위상반전 블랭크 마스크 및 포토마스크 특허로서, 특히 반도체 제조용 블랭크 마스크 제품의 기술경쟁력을 향상시킬 예정임 |
| 6. 확인일자 | 2012-05-30 |
| 7. 기타 투자판단에 참고할 사항 | - |